Редактирование: Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН

{{Научные организации
|Полное наименование=ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
|Район=Советский район
|Адрес=Академика Лаврентьева проспект 13
|Телефон=+73833332488
|Сайт=https://www.isp.nsc.ru
|Email=ifp@isp.nsc.ru
|ФИО руководителя=Латышев Александр Васильевич
|Должность руководителя=директор
}}
{{Карточка института 
|название          = Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
|сокращение        = ИФП СО РАН
|эмблема           = 
|изображение       =  
|междуназвание     = Rzhanov Institute of Semiconductor Physics Siberian Branch of Russian Academy of Sciences 
|основан           = 1964
|директор          = А. В. Латышев 
|аспирантура       =
|расположение      = 
|адрес = [[Академика Лаврентьева проспект 13]]
|сайт = [[сайт::http://www.isp.nsc.ru/]]
}}

'''Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова''' — один из крупнейших институтов [[Новосибирск]]ого научного центра [[Президиум СО РАН|Сибирского отделения РАН]]. Основан в 1964 году. У истоков создания ИФП стоял крупный учёный академик Анатолий Васильевич Ржанов.

В состав Института входит 23 научных лаборатории, Новосибирский филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники», в котором разрабатывается и выпускается ряд тепловизионных систем и приборов. На базе Института действует один из наиболее эффективно работающих центров коллективного пользования — ЦКП «Наноструктуры».

В Институте работает около 1000 человек, в том числе в филиале ИФП СО РАН «КТИПМ» — около 220 человек. Общее число научных сотрудников — 227 человек из них, 2 академика РАН, 4 член-корреспондента РАН, 41 доктор наук; 140 кандидатов наук.

== Научные направления ==

Основными направлениями научной деятельности института являются:

* актуальные направления физики конденсированных сред, в том числе физика полупроводников и диэлектриков, физика низкоразмерных систем;
* элементная база микроэлектроники, наноэлектроники, квантовых компьютеров, в том числе физико-химические основы технологий микроэлектроники, наноэлектроники, оптоэлектроники, акустоэлектроники, микросенсорики;
* актуальные проблемы оптики, лазерной физики, включая квантовую электронику.

== История ==

Институт был основан в 1964 году на базе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР (постановление Президиума АН СССР № 49 от 24 апреля 1964 года)[5]. В 2003 году к Институту физики полупроводников СО РАН был присоединён в качестве филиала Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН (постановление Президиума РАН № 224 от 1 июля 2003 года). В 2005 году к ИФП СО РАН был присоединён в качестве филиала Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники (постановление Президиума РАН № 274 от 29 ноября 2005 года). В 2006 году Институту присвоено имя академика А. В. Ржанова (постановление Президиума РАН № 400 от 26 декабря 2006 года)[6]. Постановлением Президиума РАН № 262 от 13 декабря 2011 года Институт переименован в Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук. Постановлением Президиума СО РАН № 440 от 14 декабря 2012 года в целях совершенствования структуры Института Омский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук исключен из состава Института.

В соответствии с Федеральным законом от 27 сентября 2013 г. № 253-ФЗ «О Российской академии наук, реорганизации государственных академий наук и внесении изменений в отдельные законодательные акты Российской Федерации» и распоряжением Правительства Российской Федерации от 30 декабря 2013 г. № 2591-р Учреждение передано в ведение Федерального агентства научных организаций (ФАНО России). 

=== Директора Института ===

* акад. А. В. Ржанов (1964—1990)
* член-корр. РАН К. К. Свиташев (1990—1998)
* акад. А. Л. Асеев (1998—2013)
* акад. А. В. Латышев (с 2013)

== Структура ==
 
В состав института входят следующие научные подразделения (более 20 лабораторий, филиал): 

=== Научные отделы ===

* Отдел роста и структуры полупроводниковых материалов, ''руководитель отдела д.ф.-м.н., профессор О. П. Пчеляков''
** Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур, ''зав.лаб., к.т. н. С. В. Рыхлицкий''
** Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А<sub>3</sub>В<sub>5</sub>, ''зав.лаб., к.ф.-м.н. А. И. Никифоров''
** Лаборатория физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур, ''зав.лаб., к.ф.-м.н. В. В. Преображенский''
* Отдел физики и технологии полупроводников пониженной размерности, микро- и наноструктур, ''руководитель отдела академик А. Л. Асеев''
** Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии , ''зав.лаб., член-корр. РАН, д.ф.-м.н. А. В. Латышев''
** Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А<sub>3</sub>В<sub>5</sub> , ''зав.лаб., д.ф.-м.н., профессор З. Д. Квон''
* Отдел инфракрасных оптоэлектронных устройств на основе КРТ , ''руководитель отдела д.ф.-м.н. Ю. Г. Сидоров''
** Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А<sub>2</sub>В<sub>6</sub>'','' ''зав.лаб., к.ф.-м.н. С. А. Дворецкий''
** Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А<sub>2</sub>В<sub>6</sub>, ''зав.лаб., к.ф.-м.н. В. В. Васильев''
* Отдел тонкопленочных структур для микро- и фотоэлектроники, ''руководитель отдела член-корр. РАН, профессор, И. Г. Неизвестный''
** Лаборатория физики и технологии гетероструктур зав, ''зав.лаб., д.ф.-м.н. А. Э. Климов''
** Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники , ''руководитель группы, член-корр. РАН И. Г. Неизвестный''
* Отдел физики и техники полупроводниковых структур , ''руководитель отдела д.ф.-м.н., профессор, В. Н. Овсюк''
** Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках , ''и. о. зав.лаб., к.ф.-м.н. Д. Г. Есаев''
** Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А<sub>3</sub>В<sub>5</sub>, ''зав.лаб., к.ф.-м.н. А. И. Торопов''

=== Лаборатории ===

* Лаборатория теоретической физики , ''зав.лаб., академик, профессор А. В. Чаплик''
* Лаборатория вычислительных систем, ''зав.лаб., д.т. н. К. В. Павский''
* Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик, ''зав.лаб., к.х.н. О. И. Семенова''
* Лаборатория оптических материалов и структур , ''зав.лаб., к.ф.-м.н. В. В. Атучин''
* Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур , ''зав.лаб., д.ф.-м.н., профессор В. Я. Принц''
* Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках , ''зав.лаб., д.ф.-м.н., профессор, А. С. Терехов''
* Лаборатория физических основ материаловедения кремния , ''зав.лаб., д.ф-м.н. В. П. Попов''
* Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники , ''и. о.зав. лаб., д.ф.-м.н. А. П. Ковчавцев''
* Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники , ''зав.лаб., д.ф.-м.н. О. В. Наумова''
* Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем . ''зав.лаб., член-корр. РАН, д.ф.-м.н., профессор, А. В. Двуреченский''
* Лаборатория лазерной спектроскопии и лазерных технологий , ''зав.лаб., д.ф.-м.н. Н. Н. Рубцова''
* Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики , ''зав.лаб., член-корр. РАН, д.ф.-м.н. И. И. Рябцев''
* Лаборатория мощных газовых лазеров , ''зав.лаб., к.ф.-м.н. Д. Э. Закревский''

=== Новосибирский филиал ИФП СО РАН «КТИПМ» ===

* Научно-исследовательский отдел фотохимических технологий
* Научно-исследовательский отдел тепловидение и телевидения
* Тематический отдел конструирования оптико-электронных приборов
* Тематический отдел электронных систем
* Тематический отдел моделирования оптико-электронных приборов
* Тематический отдел прикладной оптико-электронной техники и технологий
* Тематический отдел специального технологического оборудования

=== Известные учёные ===

* Асеев, Александр Леонидович — академик
* Богданов, Сергей Васильевич — член-корр. РАН, профессор
* Двуреченский, Анатолий Васильевич — член-корр. РАН, профессор
* Латышев, Александр Васильевич — член-корр. РАН, профессор
* Неизвестный, Игорь Георгиевич — член-корр. РАН, профессор
* Овсюк, Виктор Николаевич — д.ф.-м.н., профессор
* Пчеляков, Олег Петрович — д.ф.-м.н., профессор
* Ржанов, Анатолий Васильевич — академик
* Рябцев, Игорь Ильич — член-корр. РАН, д.ф.-м.н.
* Свиташев, Константин Константинович — член-корр. РАН
* Смирнов, Леонид Степанович — д.ф.-м.н., профессор
* Стенин, Сергей Иванович — д.ф.-м.н.
* Хорошевский, Виктор Гаврилович — член-корр. РАН, профессор
* Чаплик, Александр Владимирович — академик, профессор

=== Дирекция ===

* Директор — Латышев, Александр Васильевич — член-корр. РАН, д.ф.-м.н., профессор 
* Заместители директора по научной работе:
** Двуреченский, Анатолий Васильевич — член-корр. РАН, д.ф.-м.н., профессор
** Пчеляков, Олег Петрович — д.ф.-м.н., профессор
* Советники РАН:
** Богданов, Сергей Васильевич — член-корр. РАН, д.ф.-м.н., профессор
** Неизвестный, Игорь Георгиевич — член-корр. РАН, д.ф.-м.н., профессор

== Научная инфраструктура ==

=== Центр коллективного пользования ===
В Институте действует центр коллективного пользования «Наноструктуры» в котором, проводят исследования различными методами электронной микроскопии атомной структуры, морфологии и химического состава, осуществляется контроль атомарных поверхностей, создаются структуры пониженной размерности для наноэлектроники.

ЦКП создан на базе Новосибирского государственного университета и ряда Институтов СО РАН: ИФП, ИК, ИНХ. Руководитель: член-корр. РАН, профессор А. В. Латышев.

=== Уникальные научные установки ===
'''Автоматизированная многомодульная сверхвысоковакуумная установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Обь-М» (МЛЭ КРТ «Обь-М»)''' 

Установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Обь-М», разработанная и изготовленная в ИФП СО РАН. Установка используется для выращивания наногетероэпитаксиальных структур твердых растворов теллуридов кадмия и ртути (КРТ) и фоточувствительных материалов на основе многослойных гетероструктур из узкозонных твердых растворов КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из кремния и арсенида галлия.

'''Уникальная научная установка «Многофункциональный аналитический субангстремный сверхвысоковакуумный комплекс» (УНУ «МАССК-ИФП»)''' 

Многофункциональный аналитический субангстремный сверхвысоковакуумный комплекс «МАССК-ИФП» разработан в ИФП СО РАН и не имеет аналогов в РФ. Единственный упрощенный прототип этого оборудования установлен в Токийском технологическом университете в Японии. Уникальный комплекс высокотехнологичного оборудования МАССК-ИФП, входящий в состав ЦКП «Наноструктуры» при ИФП СО РАН, обеспечивает проведение диагностики и прецизионное управление атомными процессами, протекающими на поверхности кристаллов на субангстремном уровне.

== См. также ==

* [[ИЯФ СО РАН|Институт ядерной физики СО РАН]]
* [[Институт автоматики и электрометрии СО РАН]]
* [[Новосибирский государственный университет]]
* [[Новосибирский государственный технический университет]]

== Ссылки ==
* [http://www.isp.nsc.ru/ Официальный сайт института]

[[Категория:Сибирское отделение РАН]]
[[Категория:Наука]]
[[Категория:Научные институты]]